A、 双晶片垂直法探伤
B、 斜射法探伤
C、 纵波垂直法探伤
D、 反射法探伤
答案:B
A、 双晶片垂直法探伤
B、 斜射法探伤
C、 纵波垂直法探伤
D、 反射法探伤
答案:B
A. 背衬材料
B. 波形转换器
C. 压电晶片或换能器
D. 保护膜
A. 晶片的厚度
B. 晶片材料的声速
C. 晶片材料的声阻抗
D. 晶片材料的密度
A. 有利于发现缺陷
B. 不利于对缺陷定位
C. 可提高探伤灵敏度
D. 有利于对缺陷定位
A. 1MHz探头
B. 5MHz探头
C. 15MHz探头
D. 25MHz探
A. 距离一振幅高度
B. 吸收电平
C. 垂直极限
D. 分辨率极限
A. 灵敏度
B. 穿透力
C. 分离
D. 分辨率
A. 1MHz
B. 5MHz
C. 10MHz
D. 2.5MHz
A. 频率变化
B. 声速变化
C. 声速不变
D. 频率变化而声速不变
A. 2730m/s
B. 5900m/s
C. 3230m/s
D. 6250m/s
A. 2730m/s
B. 5900m/s
C. 3230m/s
D. 6250m/s