A、高压侧;
B、中压侧;
C、高、中侧
答案:C
A、高压侧;
B、中压侧;
C、高、中侧
答案:C
A. 在开关场并接后,合成一根引至控制室接地
B. 三次侧的Un在开关场接地后引入控制室接N600,二次侧的Un单独引入控制室N600并接地
C. 必须分别引至控制室,并在控制室接地
A. AB
B. A
C. B
D. C
A. 单相接地
B. 两相接地
C. 三相接地
D. 单相高阻接地
A. 限制短路电流
B. 补偿接地电流
C. 阻止高频电流向变电站母线分流
D. 增加通道衰耗
A. 1
B. 0.8
C. 1.2
D. 1.15
A. 不得超过3分钟
B. 不得超过3秒钟
C. 根据被查回路中是否有接地点而定
A. 母联充电保护
B. 母联过流保护
C. 母联开关距离保护
D. 母联开关零序保护
A. 采样间隔为5/3ms,采样率为1000HZ
B. 采样间隔1ms,采样率为1200HZ
C. 采样间隔1ms,采样率为1000HZ
A. 带延时的间隙零序电流保护
B. 带延时的零序过电压保护
C. 放电间隙
D. 以上说法均不对
A. 1000V
B. 2000V
C. 600V
D. 400V