A、 单晶硅组件
B、 多晶硅组件
C、 非晶薄膜组件
D、 GaAs组件
答案：D
解析：首先,让我们来分析一下题干。这道题考察的是光伏组件的转换效率,也就是将太阳能转换为电能的效率。
A选项的单晶硅组件,转换效率一般在15%-20%左右。
B选项的多晶硅组件,转换效率一般在12%-15%左右。
C选项的非晶薄膜组件,转换效率相对较低,一般在6%-10%左右。
而D选项的GaAs(砷化镓)组件,其转换效率可以达到25%-30%,是目前商业化应用中最高的。
GaAs作为一种III-V族化合物半导体材料,具有优异的光电转换特性。它的带隙能量较大,能够更好地吸收太阳光谱中的高能光子,从而提高光电转换效率。同时,GaAs材料的载流子迁移率也较高,有利于电荷的收集和输运。
因此,从光伏组件的转换效率来看,D选项GaAs组件是最高的,是本题的正确答案。
A、 单晶硅组件
B、 多晶硅组件
C、 非晶薄膜组件
D、 GaAs组件
答案：D
解析：首先,让我们来分析一下题干。这道题考察的是光伏组件的转换效率,也就是将太阳能转换为电能的效率。
A选项的单晶硅组件,转换效率一般在15%-20%左右。
B选项的多晶硅组件,转换效率一般在12%-15%左右。
C选项的非晶薄膜组件,转换效率相对较低,一般在6%-10%左右。
而D选项的GaAs(砷化镓)组件,其转换效率可以达到25%-30%,是目前商业化应用中最高的。
GaAs作为一种III-V族化合物半导体材料,具有优异的光电转换特性。它的带隙能量较大,能够更好地吸收太阳光谱中的高能光子,从而提高光电转换效率。同时,GaAs材料的载流子迁移率也较高,有利于电荷的收集和输运。
因此,从光伏组件的转换效率来看,D选项GaAs组件是最高的,是本题的正确答案。
A. 电缆及电容器接地线应逐相充分放电
B. 装在绝缘支架上的电容器外壳也应放电
C. 星形接线电容器的中性点应放电
D. 串联电容器及与整组电容器脱离的电容器应逐个多次放电
A. 当地的最大积雪深度
B. 当地的洪水水位
C. 植被高度
D. 山坡的坡度
A. 正确
B. 错误
解析：解析:不是”完全一致”，是”基本一致”】
A. 正确
B. 错误
A. 正确
B. 错误
A. 正确
B. 错误
A. 设备异常
B. 二类障碍
C. 一类障碍
D. 一般事故
