A、 拉应力
B、 中心受压两侧受拉
C、 中心受拉两侧受压
D、 中心受压两侧不受拉
答案：B
解析：
A、 拉应力
B、 中心受压两侧受拉
C、 中心受拉两侧受压
D、 中心受压两侧不受拉
答案：B
解析：
A. 热处理
B. 变质处理
C. 冷处理
D. 强化处理
解析：好的，让我们一起来解析这道题。 题目问的是：（ ）的目的是使晶核长大速度变小。 首先，我们需要了解晶核长大速度的概念。在金属或合金中，晶核是指结晶过程中的初始核心，晶核长大是指这些核心逐渐扩展形成晶体的过程。题目要求我们找到一种方法，使这个长大过程变得缓慢。 我们来看一下各个选项： A. 热处理：热处理主要是通过加热和冷却来改变材料的微观结构，从而改善其性能。它通常不是直接针对晶核长大的速度。 B. 变质处理：变质处理是在金属液态时加入一些细小的颗粒，这些颗粒可以作为晶核的生长点，从而增加晶核的数量并减小每个晶核的长大速度。 C. 冷处理：冷处理通常是将材料冷却到低温，以提高硬度等特性，并不是直接针对晶核长大的速度。 D. 强化处理：强化处理包括多种方法，如冷变形、固溶处理等，主要目的是提高材料的强度，也不是直接针对晶核长大速度。 通过分析可以看出，**变质处理**（B）是唯一一种通过增加晶核数量来减慢晶核长大速度的方法。因此，正确答案是B。 为了更好地理解这一点，我们可以想象一下糖溶解在水中的情况。如果你往一杯水中加一小块糖，它会慢慢溶解；但如果你撒入许多细小的糖粒，它们会更快地溶解，因为有更多的表面与水接触。同样道理，在变质处理中，加入细小的颗粒可以作为更多的晶核生长点，从而使每个晶核长大的速度变慢。
A. 低锰低硅低氟
B. 中锰低硅低氟
C. 中锰中硅中氟
D. 高锰高硅低氟
解析：
A. 脱去熔滴中的氧
B. 脱去熔池中的氧
C. 脱去药皮中放出的氧
解析：
解析：
A. H2
B. N2
C. CO
D. CO2
E. NO
F. 水蒸气
解析：
A. 尺寸公差
B. 形位公差
C. 尺寸精度
D. 形位精度
E. 粗糙度
F. 光洁度
解析：
解析：
A. 不必
B. 必须
C. 需要
D. 即时
解析：
A. 3个
B. 4个
C. 5个
D. 6个
解析：
A. A类
B. B类
C. C类
D. D类
解析：
