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模拟电子技术基础

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251、运放处于开环状态时,其输出不是正饱和值+UOM就是负饱和值-UOM,它们的大小取决于( )。 ( )

A、　运放的开环放大倍数

B、　外电路参数

C、　运放的工作电源

答案：C

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82、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。 ( )

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21、Ro越小,说明放大电路的带负载能力越弱。 ( )

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32、能使输入电阻增大的是( )。 ( )

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66、桥式整流电路在接入电容滤波后,输出电压( )。 ( )

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59、三极管的ICEO大,说明该三极管的( )。( )

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209、工作在放大区的某三极管,当IB从20μA增大到40μA时,IC从1mA变为2mA,则它的β值约为( )。 ( )

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48、三极管各极对公共端电位如下图所示,则处于放大状态的硅三极管是( )。( )

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25、 ﹤1是( )。 ( )

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211、对放大电路中的三极管测量,各极对地的电压为UB=2.7V,UE=2V,UC=6V,则该管为( )。 ( )

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126、无论锗二极管或硅二极管,其反向电阻都在几十千欧到几百千欧以上。 ( )

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单选题

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模拟电子技术基础

251、运放处于开环状态时,其输出不是正饱和值+UOM就是负饱和值-UOM,它们的大小取决于( )。 ( )

A、　运放的开环放大倍数

B、　外电路参数

C、　运放的工作电源

答案：C

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82、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。 ( )

A. 正确

B. 错误

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21、Ro越小,说明放大电路的带负载能力越弱。 ( )

A. 正确

B. 错误

点击查看答案

32、能使输入电阻增大的是( )。 ( )

A. 　串联负反馈

B. 　并联负反馈

C. 　其它

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66、桥式整流电路在接入电容滤波后,输出电压( )。 ( )

A. 　升高了

B. 　降低了

C. 　保持不变

D. 　不确定

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59、三极管的ICEO大,说明该三极管的( )。( )

A. 　工作电流大

B. 　击穿电压高

C. 　寿命长

D. 　热稳定性差

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209、工作在放大区的某三极管,当IB从20μA增大到40μA时,IC从1mA变为2mA,则它的β值约为( )。 ( )

A. 　10

B. 　50

C. 　100

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48、三极管各极对公共端电位如下图所示,则处于放大状态的硅三极管是( )。( )

A. 　

B. 　

C. 　

D. 　

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25、 ﹤1是( )。 ( )

A. 　负反馈

B. 　正反馈

C. 　无反馈

D. 　自激振荡

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211、对放大电路中的三极管测量,各极对地的电压为UB=2.7V,UE=2V,UC=6V,则该管为( )。 ( )

A. 　NPN管

B. 　PNP管

C. 　其它管子

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126、无论锗二极管或硅二极管,其反向电阻都在几十千欧到几百千欧以上。 ( )

A. 正确

B. 错误

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