答案：提高探伤灵敏度
解析：
答案：提高探伤灵敏度
解析：
A. 正确
B. 错误
解析：指向角的大小不仅取决于晶片的大小，还取决于晶片的形状和材质等因素。因此，仅仅依靠晶片的大小无法确定指向角的大小。
A. 正确
B. 错误
解析：近场长度的计算公式为λ/2π，根据题目提供的数据计算得到的近场长度为约36.9mm，与题目中给出的43.5mm不符，因此答案为错误。
解析：
A. 35mm
B. 70mm
C. 47.5mm
D. 65mm
解析：根据题干信息，满刻度已校准为200mm，缺陷回波前沿显示于刻度3.5上，因此缺陷深度为200mm/3.5=57.14mm≈70mm，故选B。
解析：
A. φ14、1MHz
B. φ14、2.5MHz
C. φ20、1MHz
D. φ30、2.5MHz
解析：不同直探头在探测同一材料时，干涉区大小不同，选择具有最大干涉区的直探头可以提高探测效果。
A. 称为当量
B. 与实际大小相等
C. 是缺陷的最大长度
D. 上述都不是
解析：试块对比法是一种常用的无损检测方法，用于确定缺陷的大小。当量是指通过试块对比法求得的缺陷大小。
A. 超声场
B. 远场
C. 绕射区
D. 无声区
解析：近场区以远的区域称为远场区，是声波传播中的一个重要概念。超声波探伤中，远场区是指超声波传播距离较远的区域，信号衰减较大，需要采取相应的探测技术来克服。因此，正确答案为B. 远场。
A. 反射
B. 折射
C. 重复性
D. 衰减
解析：超声波在材料传播过程中能量逐渐减弱的现象称为衰减。这是超声波探伤中的重要概念，衰减会影响超声波的传播距离和信号强度。
A. 近场区
B. 声阻抗
C. 指数场
D. 相位区
解析：靠近探头的干涉区被称为近场区，是指在探头附近距离较近的区域，干涉效应明显。
