9.对烤瓷合金及瓷粉的要求中,错误的是( )

A. 　P切迹

B. 　颧突

C. 　腭小凹

D. 　颊侧翼缘区

E. 　远中颊角区

A. 　Kennedy第一类,第一亚类

B. 　Kennedy第二类,第二亚类

C. 　Kennedy第三类,第一亚类

D. 　Kennedy第三类,第二亚类

E. 　Kennedy第四类

A. 　藻酸盐

B. 　硅橡胶

C. 　琼脂

D. 　印模膏

E. 　印模石膏

A. 　. 右上12678左上3678

B. 　. 上4—|—4

C. 　. 左上126右上678

D. 　. 右上46

E. 　. 左上45右上5

A. 　修复体与预备体的接触面要密合

B. 　增大修复体与预备体的接触面积

C. 　窝洞的点线角清楚

D. 　备牙时增加预备体表面的粗糙度

E. 　设计箱状、针道等辅助固位形

A. 　位于天然牙近远中接触区

B. 　面积不小于4mm2

C. 　四周外形圆钝并高度抛光

D. 　全部通过铸造方法制作

E. 　形成正常的唇颊、舌外展隙及邻间隙

A. 　单侧固定桥

B. 　半固定桥

C. 　双端固定桥

D. 　弹簧固定桥

E. 　复合固定桥

A. 　分次完成牙体预备以保护牙髓

B. 　部分冠能提供良好固位时可优先选用

C. 　修复体边缘尽量向根方延伸增加固位

D. 　错位牙应在根管治疗后用全冠改善位置

E. 　HE面应预备成平面形态

A. 　切牙乳突前方

B. 　腭皱与切牙乳突之间

C. 　腭皱后方

D. 　上颌牙槽嵴后缘

E. 　软硬腭交界处,腭中缝两侧

A. 　常使牙面的(牙)尖变低,窝(沟)变浅

B. 　应重新加深沟窝

C. 　应加大食物排溢道

D. 　应尽量模拟天然牙 面形态

E. 　以上均正确