A、1
B、2
C、3
D、4
答案：B
解析：房屋建筑安装工程中设备基础的中心线放线通常有2种方法。答案选项B是正确的。设备基础的中心线放线通常可以采用两种方法，一种是通过水平控制点和垂直控制点进行放线，另一种是通过平行控制点和垂直控制点进行放线。
A、1
B、2
C、3
D、4
答案：B
解析：房屋建筑安装工程中设备基础的中心线放线通常有2种方法。答案选项B是正确的。设备基础的中心线放线通常可以采用两种方法，一种是通过水平控制点和垂直控制点进行放线，另一种是通过平行控制点和垂直控制点进行放线。
A. 水平距离
B. 竖直距离
C. 高度
D. 角度
解析：坡度较大场所用经纬仪作视距法测量水平距离。答案选项A是正确的。视距法是一种测量方法，通过经纬仪在两个观测点之间测量水平距离，适用于坡度较大的场所。
A. 1
B. 2
C. 3
D. 4
解析：全站仪由( )部分组成。 A.1 B.2 C.3 D.4 答案:C 答案选择C：3。全站仪主要由三个部分组成，包括水平仪、垂直仪和测角仪。水平仪用于测量水平方向，垂直仪用于测量垂直方向，而测角仪用于测量水平和垂直方向之间的角度。
A. 标高
B. 水平线
C. 标高和水平线
D. 角度
解析：房屋建筑安装工程中应用水准仪主要是为了测量( )。 A. 标高 B. 水平线 C. 标高和水平线 D. 角度 答案:C 答案选择C：标高和水平线。水准仪在房屋建筑安装工程中的主要应用是测量建筑物的标高和水平线。通过水准仪可以确定建筑物的高度和确保建筑物各个部分的水平度。
A. 安置仪器、初步整平、精确整平、瞄准水准尺、读数、记录、计算
B. 安置仪器、初步整平、瞄准水准尺、精确整平、读数、记录、计算
C. 安置仪器、精确整平、初步整平、瞄准水准尺、读数、记录、计算
D. 安置仪器、初步整平、瞄准水准尺、读数、精确整平、记录、计算
解析：水准仪的主要使用步骤:( )。 A. 安置仪器、初步整平、精确整平、瞄准水准尺、读数、记录、计算 B. 安置仪器、初步整平、瞄准水准尺、精确整平、读数、记录、计算 C. 安置仪器、精确整平、初步整平、瞄准水准尺、读数、记录、计算 D. 安置仪器、初步整平、瞄准水准尺、读数、精确整平、记录、计算 答案:B 答案选择B：安置仪器、初步整平、瞄准水准尺、精确整平、读数、记录、计算。水准仪的主要使用步骤是先安置仪器，然后进行初步整平以确保水准仪的基准平面水平，接着进行瞄准水准尺以获取读数，然后进行精确整平来提高测量的准确性，最后进行读数、记录和计算等后续操作。
A. 磁场,副边绕组
B. 磁场,原边绕组
C. 电场,副边绕组
D. 电场,原边绕组
解析：变压器的工作原理是：原边绕组从电源吸取电功率，借助磁场为媒介，根据感应原理传递到副边绕组，然后再将电功率传送到负载。答案选项A是正确的。在变压器中，原边绕组通过与电源连接形成一个磁场，这个磁场作为媒介传递电能到副边绕组，最后再通过副边绕组将电能传送到负载。
A. 两个或多个,降压器
B. 两个,降压器
C. 两个或多个,升压器
D. 两个,升压器
解析：变压器主要由铁芯和套在铁芯上的两个或多个绕组所组成，当原边绕组多于副边绕组的线圈数时为降压器。答案选项A是正确的。变压器通常由两个或多个绕组组成，其中一个是原边绕组，另一个是副边绕组。当原边绕组的线圈数多于副边绕组时，变压器起到降压的作用。
A. 1
B. 2
C. 3
D. 4
解析：转子绕组按其结构形式可分为两种。答案选项B是正确的。转子绕组是旋转机械中的一部分，它通常按其结构形式进行分类。根据题目的设定，转子绕组可分为两种结构形式。
A. 1
B. 2
C. 3
D. 4
解析：三极晶体管的结构，目前常用的有( )种类型。A.1 B.2 C.3 D.4 答案:B 解析：三极晶体管的结构通常包括三个区域，即发射区、基区和集电区。常用的三极晶体管类型有两种，即NPN型和PNP型。其中NPN型三极晶体管的结构包括一个N型发射区、一个P型基区和一个N型集电区，而PNP型三极晶体管的结构则相反，包括一个P型发射区、一个N型基区和一个P型集电区。因此，目前常用的三极晶体管类型有2种，故选项B为正确答案。
A. 电压和电流
B. 电压和电阻
C. 电流和电阻
D. 电压和电感
解析：三极晶体管的特性曲线是用来表示该晶体管各极( )之间相互关系的，它反映晶体管的性能，是分析放大电路的重要依据。A.电压和电流 B.电压和电阻 C.电流和电阻 D.电压和电感 答案:A 解析：三极晶体管的特性曲线是指输入特性曲线和输出特性曲线。其中，输入特性曲线表示晶体管的发射极电流（IE）与基极电压（UB）之间的关系，输出特性曲线表示集电极电流（IC）与集电极电压（UC）之间的关系。因此，特性曲线用来表示三极晶体管各极之间的电压和电流关系，选项A中的电压和电流是正确的。
A. UCE<UBE
B. UCE>UBE
C. UCE=UBE
D. UCE≥UBE
解析：在饱和区内，当( )时，集电结处于正向偏置，晶体管处于饱和状态。A.UCE
