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理论考核题库-模拟电子技术

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理论考核题库-模拟电子技术

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6、某晶体管的极限参数I_cm=20mA、P_cm=100mW、U_{( )CEO}=30V,因此当工作电压U_ce=10V时,工作电流I_c不得超过( )mA;当工作电压U_ce=1V时,I_c不得超过( )mA;当工作电流I_c=2mA时,U_ce不得超过( )V。

答案：10 20 30

理论考核题库-模拟电子技术

13、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为( ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为( ),等效成断开;

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9、凡是集成运算放大器构成的电路,都可用“虚短”和“虚断”概念加以分析

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19、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为( )信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为( )信号。

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3、测得某二极管正向电流为1mA,正向压降为0.65V,该二极管的直流电阻等于__交流电阻等于__

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6、一个两级放大电路,各级电压放大倍数分别为-30、40,若输入电压为1mV,则输出电压为( )。

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7、引入负反馈使放大电路放大倍数增大

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19.凡是能产生自激振荡的电路一定具有正反馈

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1、本征硅中若掺入5价元素原子,则多数载流子应是( ),少数载流子应是( );本征硅中若掺入3价元素原子,则多数载流子应是( ),少数载流子应是( )。

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5、放大电路所需的通频带由输入信号的频带来确定,为不失真地放大信号,要求放大电路的通频带必须小于信号的通频带

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理论考核题库-模拟电子技术

6、某晶体管的极限参数I_cm=20mA、P_cm=100mW、U_{( )CEO}=30V,因此当工作电压U_ce=10V时,工作电流I_c不得超过( )mA;当工作电压U_ce=1V时,I_c不得超过( )mA;当工作电流I_c=2mA时,U_ce不得超过( )V。

答案：10 20 30

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13、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为( ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为( ),等效成断开;

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9、凡是集成运算放大器构成的电路,都可用“虚短”和“虚断”概念加以分析

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19、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为( )信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为( )信号。

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3、测得某二极管正向电流为1mA,正向压降为0.65V,该二极管的直流电阻等于__交流电阻等于__

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6、一个两级放大电路,各级电压放大倍数分别为-30、40,若输入电压为1mV,则输出电压为( )。

A. -30mV

B. 40mV

C. -70mV

D. -1200

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7、引入负反馈使放大电路放大倍数增大

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19.凡是能产生自激振荡的电路一定具有正反馈

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1、本征硅中若掺入5价元素原子,则多数载流子应是( ),少数载流子应是( );本征硅中若掺入3价元素原子,则多数载流子应是( ),少数载流子应是( )。

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5、放大电路所需的通频带由输入信号的频带来确定,为不失真地放大信号,要求放大电路的通频带必须小于信号的通频带

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6、某晶体管的极限参数Icm=20mA、Pcm=100mW、U( )CEO=30V,因此当工作电压Uce=10V时,工作电流Ic不得超过( )mA;当工作电压Uce=1V时,Ic不得超过( )mA;当工作电流Ic=2mA时,Uce不得超过( )V。

6、某晶体管的极限参数I_cm=20mA、P_cm=100mW、U_{( )CEO}=30V,因此当工作电压U_ce=10V时,工作电流I_c不得超过( )mA;当工作电压U_ce=1V时,I_c不得超过( )mA;当工作电流I_c=2mA时,U_ce不得超过( )V。