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单选题
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38.AA013 磁铁中磁性最强的部位是( )。

A、 中间

B、 两极

C、 N极

D、 S极

答案:B

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39.AA013 磁场的基本特征是能对其中的运动电荷施加( )。
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40.AB001 对半导体的叙述正确的是( )。
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41.AB001 P型半导体中,电子数目与空穴数目相比( )。
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42.AB001 不属于半导体的是( )。
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43.AB002 在P 型半导体中,( )是少数载流子。
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44.AB002 在N型半导体中,( )是少数载流子。
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45.AB002 价电子挣脱共价键的束缚变成自由电子而留下一个空位置,称为( )。
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46.AB003 关于PN结叙述错误的是( )。
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47.AB003 PN结外加正向电压时,下列叙述错误的是( )。
https://www.shititong.cn/cha-kan/shiti/000fb450-ce4d-ba25-c0c2-31eaafc57500.html
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48.AB003 PN 结外加反向电压时,下列叙述错误的是( )。
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(
单选题
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38.AA013 磁铁中磁性最强的部位是( )。

A、 中间

B、 两极

C、 N极

D、 S极

答案:B

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相关题目
39.AA013 磁场的基本特征是能对其中的运动电荷施加( )。

A.  电压

B.  作用力

C.  动能

D.  动力

https://www.shititong.cn/cha-kan/shiti/000fb450-ce4a-4197-c0c2-31eaafc57500.html
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40.AB001 对半导体的叙述正确的是( )。

A.  半导体即超导体

B.  半导体即一半导电一半不导电

C.  半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质

D.  半导体是经过处理的绝缘体

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41.AB001 P型半导体中,电子数目与空穴数目相比( )。

A.  电子数多于空穴数

B.  电子数少于空穴数

C.  电子数等于空穴数

D.  电子数与空穴数之比

解析:首先,让我们来了解一下P型半导体的特点。P型半导体是指在半导体材料中掺杂了少量的三价元素,比如硼元素。这些三价元素会形成空穴,也就是缺少一个电子的位置。因此,在P型半导体中,空穴是主要载流子。
现在让我们来看这道题目,题干问的是在P型半导体中,电子数目与空穴数目相比是什么关系。选项A说电子数多于空穴数,选项B说电子数少于空穴数,选项C说电子数等于空穴数,选项D说电子数与空穴数之比。
根据P型半导体的特点,我们知道空穴是主要载流子,而电子是少量的杂质带来的。因此,电子数目肯定是少于空穴数目的,所以答案应该是B。

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42.AB001 不属于半导体的是( )。

A.  硅

B.  锗

C.  银

D.  砷化镓

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43.AB002 在P 型半导体中,( )是少数载流子。

A.  空穴

B.  电子

C.  硅

D.  锗

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44.AB002 在N型半导体中,( )是少数载流子。

A.  空穴

B.  电子

C.  硅

D.  锗

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45.AB002 价电子挣脱共价键的束缚变成自由电子而留下一个空位置,称为( )。

A.  空穴

B.  电子

C.  硅

D.  锗

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46.AB003 关于PN结叙述错误的是( )。

A.  当漂移运动和扩散运动相等时,PN结便处于动态平衡状态

B.  PN结处于平衡状态,空间电荷区的宽度一定

C.  空间电荷区的电阻率很高

D.  扩散作用越强,耗尽层越窄

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47.AB003 PN结外加正向电压时,下列叙述错误的是( )。

A.  外加直流电源正极接P区,负极接N区

B.  PN结呈现低电阻

C.  PN结具有较小的正向扩散电流

D.  PN结导通

解析:首先,让我们来理解PN结外加正向电压时的情况。当外加正向电压时,P区的电势高于N区,这会使得PN结变窄,电子和空穴会向PN结内部移动,从而形成低电阻状态,因此选项B是正确的。同时,外加直流电源正极接P区,负极接N区,这也是正确的,因为这样可以使PN结处于正向偏置状态,所以选项A也是正确的。PN结在正向偏置时会导通,因此选项D也是正确的。
那么,为什么选项C是错误的呢?因为在PN结正向偏置时,会产生较大的正向扩散电流,而不是较小的。这是因为在正向偏置时,电子和空穴会向PN结内部移动,形成电流,所以选项C是错误的。
举个生动的例子来帮助理解,可以想象PN结就像是一道水坝,正向电压就像是水坝上游水位高于下游,水会顺着坝体流向下游,形成电流。而选项C错误的说法就好比说水坝上游水位高时,水流很小,这显然是错误的。

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48.AB003 PN 结外加反向电压时,下列叙述错误的是( )。

A.  外加直流电源正极接N区,负极接P区

B.  PN结呈现低电阻

C.  PN结具有很小的反向飘移电流

D.  PN结截止

解析:首先,让我们来理解PN结的基本特性。PN结是由P型半导体和N型半导体组成的,当外加正向电压时,电子从N区向P区扩散,空穴从P区向N区扩散,形成电流;当外加反向电压时,电子和空穴被PN结的电场阻挡,几乎没有电流通过。
现在让我们来分析每个选项:
A: 外加直流电源正极接N区,负极接P区。这是正确的,因为在正向偏置下,电子从N区向P区扩散,空穴从P区向N区扩散,形成电流。
B: PN结呈现低电阻。这个说法是错误的,因为在反向偏置下,PN结应该呈现高电阻,几乎没有电流通过。
C: PN结具有很小的反向飘移电流。这个说法是正确的,因为在反向偏置下,虽然几乎没有电流通过,但是会有少量的反向飘移电流。
D: PN结截止。这个说法是正确的,因为在反向偏置下,PN结会截止,几乎没有电流通过。
因此,根据题目要求,错误的叙述是B: PN结呈现低电阻。因为在反向电压下,PN结应该呈现高电阻。

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