A、 中间
B、 两极
C、 N极
D、 S极
答案:B
A、 中间
B、 两极
C、 N极
D、 S极
答案:B
A. 电压
B. 作用力
C. 动能
D. 动力
A. 半导体即超导体
B. 半导体即一半导电一半不导电
C. 半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质
D. 半导体是经过处理的绝缘体
A. 电子数多于空穴数
B. 电子数少于空穴数
C. 电子数等于空穴数
D. 电子数与空穴数之比
解析:首先,让我们来了解一下P型半导体的特点。P型半导体是指在半导体材料中掺杂了少量的三价元素,比如硼元素。这些三价元素会形成空穴,也就是缺少一个电子的位置。因此,在P型半导体中,空穴是主要载流子。
现在让我们来看这道题目,题干问的是在P型半导体中,电子数目与空穴数目相比是什么关系。选项A说电子数多于空穴数,选项B说电子数少于空穴数,选项C说电子数等于空穴数,选项D说电子数与空穴数之比。
根据P型半导体的特点,我们知道空穴是主要载流子,而电子是少量的杂质带来的。因此,电子数目肯定是少于空穴数目的,所以答案应该是B。
A. 硅
B. 锗
C. 银
D. 砷化镓
A. 空穴
B. 电子
C. 硅
D. 锗
A. 空穴
B. 电子
C. 硅
D. 锗
A. 空穴
B. 电子
C. 硅
D. 锗
A. 当漂移运动和扩散运动相等时,PN结便处于动态平衡状态
B. PN结处于平衡状态,空间电荷区的宽度一定
C. 空间电荷区的电阻率很高
D. 扩散作用越强,耗尽层越窄
A. 外加直流电源正极接P区,负极接N区
B. PN结呈现低电阻
C. PN结具有较小的正向扩散电流
D. PN结导通
解析:首先,让我们来理解PN结外加正向电压时的情况。当外加正向电压时,P区的电势高于N区,这会使得PN结变窄,电子和空穴会向PN结内部移动,从而形成低电阻状态,因此选项B是正确的。同时,外加直流电源正极接P区,负极接N区,这也是正确的,因为这样可以使PN结处于正向偏置状态,所以选项A也是正确的。PN结在正向偏置时会导通,因此选项D也是正确的。
那么,为什么选项C是错误的呢?因为在PN结正向偏置时,会产生较大的正向扩散电流,而不是较小的。这是因为在正向偏置时,电子和空穴会向PN结内部移动,形成电流,所以选项C是错误的。
举个生动的例子来帮助理解,可以想象PN结就像是一道水坝,正向电压就像是水坝上游水位高于下游,水会顺着坝体流向下游,形成电流。而选项C错误的说法就好比说水坝上游水位高时,水流很小,这显然是错误的。
A. 外加直流电源正极接N区,负极接P区
B. PN结呈现低电阻
C. PN结具有很小的反向飘移电流
D. PN结截止
解析:首先,让我们来理解PN结的基本特性。PN结是由P型半导体和N型半导体组成的,当外加正向电压时,电子从N区向P区扩散,空穴从P区向N区扩散,形成电流;当外加反向电压时,电子和空穴被PN结的电场阻挡,几乎没有电流通过。
现在让我们来分析每个选项:
A: 外加直流电源正极接N区,负极接P区。这是正确的,因为在正向偏置下,电子从N区向P区扩散,空穴从P区向N区扩散,形成电流。
B: PN结呈现低电阻。这个说法是错误的,因为在反向偏置下,PN结应该呈现高电阻,几乎没有电流通过。
C: PN结具有很小的反向飘移电流。这个说法是正确的,因为在反向偏置下,虽然几乎没有电流通过,但是会有少量的反向飘移电流。
D: PN结截止。这个说法是正确的,因为在反向偏置下,PN结会截止,几乎没有电流通过。
因此,根据题目要求,错误的叙述是B: PN结呈现低电阻。因为在反向电压下,PN结应该呈现高电阻。