42. 共摸抑制比KMR越大,表明电路()。
A. 放大倍数越稳定
B. 交流放大倍数越大
C. 抑制零漂的能力越强
D. 带负载能力越强
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31. 差动放大电路的主要特点是()。
A. 有效放大差模信号,有力抑制共模信号
B. 既放大差模信号,又放大共模信号
C. 有效放大共模信号,有力抑制差模信号
D. 既抑制差模信号,又抑制共模信号
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24. P型半导体中的多数载流子是()。
A. 负电荷
B. 自由电子
C. 正电荷
D. 空穴
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18. N型半导体掺入()。
A. 五价元素
B. 三价元素
C. 四价元素
D. 不确定
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28. 测得三极管ib=10μA时,ic=2.4mA;而ib=30μA时,ic=3.4mA,则该管的交流电流放大系数β为()
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26. 在半导体材料中,其说法正确的是()。
A. P型半导体和N型半导体材料本身不带电
B. P型半导体中,由于多数载流子为空穴,所以它带正电
C. N型半导体中,由于多数载流子为自由电子,所以它带负电
D. N型半导体中,由于多数载流子为空穴,所以它带负电
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12. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 ()。
A. 电阻阻值有误差
B. 晶体管参数的分散性
C. 晶体管参数受温度影响
D. 受输入信号变化的影响
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1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ()。
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13. 差动放大电路的主要特点是 ()。
A. 有效放大差模信号,有力抑制共模信号;
B. 既放大差模信号,又放大共模信号
C. 有效放大共模信号,有力抑制差模信号;
D. 既抑制差模信号,又抑制共模信号
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25. 将PN结P区接电源负极,N区接电源正极,此时PN结处于()偏置。
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