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变压器励磁涌流中含有大量高次谐波,其中以( )为主。

A、二次谐波

B、三次谐波

C、五次谐波

答案:A

解析:变压器励磁涌流中含有大量高次谐波,其中以(A.二次谐波)为主。 解析:在变压器励磁涌流中,主要含有二次谐波。这是因为励磁涌流是由非线性磁化特性引起的,非线性特性会导致电流含有各种谐波成分,其中二次谐波的影响较为显著。

继电保护专业等级题库
母线充电保护是
https://www.shititong.cn/cha-kan/shiti/7204b5ab-515c-11ea-896e-00163e0cc5d8.html
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发电机与系统之间同期并列的条件是电压相等、( )、( )。
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继电保护( )要求在设计要求它动作的异常或故障状态下,能够准确地完成动作
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高频通道反措中,采用高频变量器直接耦合的高频通道,要求在高频电缆芯回路中串接一个电容的目的是为了高频通道的参数匹配。
https://www.shititong.cn/cha-kan/shiti/60d95716-515c-11ea-896e-00163e0cc5d8.html
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在欧姆定律中,导体的电阻与两端的电压成反比,与通过其中的额电流强度成 反比
https://www.shititong.cn/cha-kan/shiti/7df6c5e2-515c-11ea-896e-00163e0cc5d8.html
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新安装保护装置在投入运行一年以内,未打开铅封和变动二次回路以前,保护装置出现由于调试和安装质量不良而引起的不正确动作,其责任归属为( )。
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为防止失压误动作,距离保护通常经由( )或( )构成的启动元件控制,以防止正常过负荷误动作。
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单分裂导线的高频特性阻抗为( )
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线路L的M侧电动势超前N侧电动势,在线路L内发生经过渡电阻短路时,过渡电阻对M侧距离保护Ⅰ段有何影响?
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下列对DKB(电抗变换器)和CT(电流互感器)的表述,( )是正确的。
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继电保护专业等级题库

变压器励磁涌流中含有大量高次谐波,其中以( )为主。

A、二次谐波

B、三次谐波

C、五次谐波

答案:A

解析:变压器励磁涌流中含有大量高次谐波,其中以(A.二次谐波)为主。 解析:在变压器励磁涌流中,主要含有二次谐波。这是因为励磁涌流是由非线性磁化特性引起的,非线性特性会导致电流含有各种谐波成分,其中二次谐波的影响较为显著。

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发电机与系统之间同期并列的条件是电压相等、( )、( )。
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继电保护( )要求在设计要求它动作的异常或故障状态下,能够准确地完成动作

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高频通道反措中,采用高频变量器直接耦合的高频通道,要求在高频电缆芯回路中串接一个电容的目的是为了高频通道的参数匹配。

解析:高频通道反措中,采用高频变量器直接耦合的高频通道,要求在高频电缆芯回路中串接一个电容的目的是为了高频通道的参数匹配。 答案:B (错误) 解析:这道题中,目的是了解在高频通道中串接电容的目的。电容串接的目的通常是为了提供阻抗匹配或者是对高频信号进行滤波。在高频通道中,电容可以用来匹配信号源和负载之间的阻抗,从而提高能量传输效率。因此,选项 B 是正确的,因为电容的目的是为了高频通道的参数匹配。

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在欧姆定律中,导体的电阻与两端的电压成反比,与通过其中的额电流强度成 反比

解析:在欧姆定律中,导体的电阻与两端的电压成反比,与通过其中的电流强度成反比 答案:B 解析:这道题目表述错误。根据欧姆定律,导体的电阻与通过其中的电流强度成正比,而与两端的电压成反比。具体表达为:U(电压)= R(电阻) * I(电流)。

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新安装保护装置在投入运行一年以内,未打开铅封和变动二次回路以前,保护装置出现由于调试和安装质量不良而引起的不正确动作,其责任归属为( )。

A. 设计单位

B. 运行单位

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解析:新安装保护装置在投入运行一年以内,未打开铅封和变动二次回路以前,保护装置出现由于调试和安装质量不良而引起的不正确动作,其责任归属为( )。 答案:C 解析:题目涉及到新安装保护装置在投入运行一年内,未打开铅封和变动二次回路之前的责任归属。根据常规的工程责任划分,设计单位负责设计阶段,运行单位负责运行阶段,基建单位负责基建阶段。由于装置在投入运行一年内出现问题,责任应归属于基建单位,因为此时装置还没有交付运行单位,也未打开铅封和变动二次回路。

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为防止失压误动作,距离保护通常经由( )或( )构成的启动元件控制,以防止正常过负荷误动作。
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单分裂导线的高频特性阻抗为( )

A. 300欧

B. 400欧

C. 500欧

解析:题目解析 单分裂导线的高频特性阻抗为( ) A.300欧 B.400欧 C.500欧 答案:B 解析:题目中提到"单分裂导线",该类型的导线的高频特性阻抗通常为400欧姆。因此,答案为B,高频特性阻抗为400欧姆。

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线路L的M侧电动势超前N侧电动势,在线路L内发生经过渡电阻短路时,过渡电阻对M侧距离保护Ⅰ段有何影响?
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下列对DKB(电抗变换器)和CT(电流互感器)的表述,( )是正确的。

A. DKB励磁电流大,二次负载大,为开路状态;CT励磁电流大,二次负载大,为开路状态

B. DKB励磁电流大,二次负载大,为开路状态;CT励磁电流小,二次负载小,为短路状态

C. DKB励磁电流小,二次负载小,为短路状态;CT励磁电流大,二次负载大,为开路状态

解析:对于DKB(电抗变换器)和CT(电流互感器)的表述,正确的是B.DKB励磁电流大,二次负载大,为开路状态;CT励磁电流小,二次负载小,为短路状态。这是因为电抗变换器(DKB)的励磁电流大,意味着有大量的无功功率流过,所以二次负载大,对应开路状态。而电流互感器(CT)的励磁电流小,表示有较少的电流流过,所以二次负载小,对应短路状态。

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